मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकनले सिलिकन सामग्रीको समग्र क्रिस्टलाइजेसनलाई एकल क्रिस्टल रूपमा बुझाउँछ, हाल व्यापक रूपमा प्रयोग हुने फोटोभोल्टिक पावर उत्पादन सामग्रीहरू, मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन सौर्य कोषहरू सिलिकन-आधारित सौर्य कोषहरूमा सबैभन्दा परिपक्व प्रविधि हुन्, पोलिसिलिकन र अनाकार सिलिकन सौर्य कोषहरूको तुलनामा, यसको फोटोइलेक्ट्रिक रूपान्तरण दक्षता उच्चतम छ। उच्च दक्षता मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन कोषहरूको उत्पादन उच्च गुणस्तरको मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन सामग्री र परिपक्व प्रशोधन प्रविधिमा आधारित छ।

मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन सौर्य कोषहरूले कच्चा पदार्थको रूपमा ९९.९९९% सम्म शुद्धता भएका मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन रडहरू प्रयोग गर्छन्, जसले लागत पनि बढाउँछ र ठूलो मात्रामा प्रयोग गर्न गाह्रो हुन्छ। लागत बचत गर्न, मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन सौर्य कोषहरूको हालको प्रयोगको लागि सामग्री आवश्यकताहरू खुकुलो पारिएको छ, र तिनीहरूमध्ये केहीले अर्धचालक उपकरणहरूद्वारा प्रशोधन गरिएका टाउको र पुच्छर सामग्रीहरू प्रयोग गर्छन् र मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन सामग्रीहरू खेर फाल्छन्, वा सौर्य कोषहरूको लागि मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन रडहरूमा बनाइन्छन्। मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन वेफर मिलिङको प्रविधि प्रकाशको क्षति कम गर्न र ब्याट्रीको दक्षता सुधार गर्न एक प्रभावकारी माध्यम हो।

उत्पादन लागत घटाउनको लागि, सौर्य कोषहरू र अन्य जमिन-आधारित अनुप्रयोगहरूले सौर्य-स्तर मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन रडहरू प्रयोग गर्छन्, र सामग्री प्रदर्शन सूचकहरू आराम गरिएको छ। केहीले सौर्य कोषहरूको लागि मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन रडहरू बनाउन अर्धचालक उपकरणहरूद्वारा प्रशोधित टाउको र पुच्छर सामग्रीहरू र फोहोर मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन सामग्रीहरू पनि प्रयोग गर्न सक्छन्। मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन रडलाई स्लाइसहरूमा काटिन्छ, सामान्यतया लगभग ०.३ मिमी बाक्लो। पालिसिङ, सफाई र अन्य प्रक्रियाहरू पछि, सिलिकन वेफरलाई प्रशोधन गर्न कच्चा माल सिलिकन वेफरमा बनाइन्छ।

सौर्य कोषहरू प्रशोधन गर्दै, सबैभन्दा पहिले सिलिकन वेफर डोपिङ र प्रसारमा, बोरोन, फस्फोरस, एन्टिमोनी र यस्तै अन्यको ट्रेस मात्राको लागि सामान्य डोपिङ। प्रसार क्वार्ट्ज ट्यूबहरूबाट बनेको उच्च-तापमान प्रसार भट्टीमा गरिन्छ। यसले सिलिकन वेफरमा P > N जंक्शन सिर्जना गर्दछ। त्यसपछि स्क्रिन प्रिन्टिङ विधि प्रयोग गरिन्छ, ग्रिड लाइन बनाउन सिलिकन चिपमा राम्रो चाँदीको पेस्ट छापिन्छ, र सिन्टरिङ पछि, पछाडिको इलेक्ट्रोड बनाइन्छ, र ग्रिड लाइन भएको सतहलाई प्रतिबिम्ब स्रोतले लेपित गरिन्छ ताकि सिलिकन चिपको चिल्लो सतहबाट ठूलो संख्यामा फोटोनहरू परावर्तित हुनबाट रोकियोस्।

यसरी, मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन सौर्य सेलको एकल पाना बनाइन्छ। अनियमित निरीक्षण पछि, एकल टुक्रालाई आवश्यक विशिष्टताहरू अनुसार सौर्य सेल मोड्युल (सौर्य प्यानल) मा भेला गर्न सकिन्छ, र श्रृंखला र समानान्तर विधिहरूद्वारा निश्चित आउटपुट भोल्टेज र करेन्ट बनाइन्छ। अन्तमा, फ्रेम र सामग्रीहरू एन्क्याप्सुलेशनको लागि प्रयोग गरिन्छ। प्रणाली डिजाइन अनुसार, प्रयोगकर्ताले सौर्य सेल मोड्युललाई विभिन्न आकारका सौर्य सेल एरेमा रचना गर्न सक्छ, जसलाई सौर्य सेल एरे पनि भनिन्छ। मोनोक्रिस्टलाइन सिलिकन सौर्य सेलहरूको फोटोइलेक्ट्रिक रूपान्तरण दक्षता लगभग १५% छ, र प्रयोगशाला परिणामहरू २०% भन्दा बढी छन्।